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 近日，风华高科于2011年在美国申请的1项发明专利——《ANTI-REDUCTIVE HIGH-FREQUENCY CERAMIC DIELECTRIC MATERIAL SINTERED AT LOW TEMPERATURE AND MATCHED WITH COPPER INTERNAL ELECTRODE》（中文译名：一种抗还原性铜内电极高频低温烧结陶瓷介质材料；发明人名单：宋蓓蓓、宋永生、莫方策、任海东、王孝国、郭精华等）获得了由美国专利商标局颁发的授权专利证书，初步实现公司在北美地区专利授权量“零”的突破。

该专利技术由公司下属电子工程开发分公司研发，在全球范围内公开了一种抗还原铜内电极高频低温烧结陶瓷介质材料,可用于铜内电极多层陶瓷电容器制作。由主晶相、改性添加剂、烧结助熔剂组成，主晶相的结构式是MgxBa(1-x) ZrySi(1-y)O3 ，其中0.8≤x≤0.95，0.05≤y≤0.2，所述的改性添加剂是MnO2、CaO、Li2O、Bi2O3、TiO2中的一种或几种；所述的烧结助熔剂是B2O3、SiO2、ZnO、CuO、K2O、BaO中的一种或几种。 上述陶瓷介质材料满足EIA标准COG特性,且材料具备均一、粒度分布均匀、分散性高、成型工艺好的特点，符合环保要求，介电特性优良，已达到国际先进水平，具备良好的全球市场前景。