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一直以来，片式电阻器的封端技术沿用浸封方式进行封端，质量稳定性不好，效率不高，材料成本高，生产成本明显偏高，而产品价格的下降和原材料价格的上涨，大大削弱了片式电阻器的竞争力。在成本压力当前，片阻的竞争力何在？在激烈竞争之中，片阻的出路何在？

一、全方位的贱金属化

公司领导指出，当前电子元件最重要的技术趋势是微型化和超微型化，以及全方位的贱金属化。在这样的发展趋势下，片式电阻器的技术发展也必然要围绕这个重要的趋势而寻找出路。真空溅射封端技术属于真空溅射技术应用于片阻领域，使端华公司技术创新呈现出来的一个新亮点，在片式电阻器的生产中扮演着举足轻重的角色。

真空溅射封端技术是通过真空溅射把贱金属材料附着在产品的端头上，形成一层致密的导电薄膜，完成整个封端过程，取代了原来的贵金属封端材料。如果说镍电极MLCC产品的成功是标志着一场电子行业中以贱金属代替贵金属技术革命的开始，那么真空溅射技术应用于片阻的成功则宣告了在竞争领域中全方位贱金属化技术创新的全面开展。

应用真空溅射封端技术降成本最显著的地方分别为有贱金属代替贵金属和膜层厚度非常薄。随着产品不断的向小型化发展，现有的传统浸封封端工艺已很难生产比0402产品还小的产品，甚至基本不能生产。真空溅射封端技术是专长于小型化的元件，比0402还小的产品也能较好的生产。这正是电子元件微型化和贱金属化的重要技术保障之一。

二、千方百计降成本

由于现在的电子行业竞争越来越激烈,产品的质量都相差不大,价格竞争成为了竞争的焦点。谁的成本低，卖价低,在市场就有立足之地。

真空溅射封端工艺比传统的浸封工艺质量好、效率高、成本低、更适应小规格（0402及以下尺寸）片阻的生产。由于所用材料是较便宜的Ni—Cr合金，其成本明显比原来浸封方式用的Ag浆材料低。

真空溅射封端的生产成本低，符合发展的潮流，可以继续保持我公司在市场上的竞争力。应用该技术，生产流程更加优化，溅射后直接可以电镀，减少了封端后的固化、烧结环节，既节省了烧结设备，也节省了人力、物力和电力。使用的Ni-Cr材料，不会引起环境的危害。因为用真空溅射方法镀膜不会产生六价Cr离子。符合欧盟WEEE和R0HS标准。

根据新技术与传统工艺的成本对比分析可知，如果把真空溅射技术推广到所有的片式电阻产品，则按每年可做约360亿只算，每年可节约500多万。而且假如贵金属材料进一步涨价，其成本优势更加明显，节约金额还会不断的上升。

三、与国际水平接轨

目前国际上很多片阻厂家已在大规模使用真空溅射封端工艺。特别是台湾同行大规模采用了真空溅射技术封端。当前，真空溅射封端技术在端华公司主要应用在0402产品的封端生产上。并已经开始向0603、0805等产品进行推广。

真空溅射技术的优点是成本低,专长是生产小规格的产品而且与薄膜技术有相似之处。为未来开发更小型的电阻产品打下坚实的基础，也为薄膜产品的开发制造了可能。

在国际上已经大规模地推行真空溅射封端工艺的今天，我们只要早一天全面用真空溅射工艺替代浸封工艺，就早一天与国际水平接轨，使得我们的产品无论在产品的质量上还是在成本上都保持具有与国际竞争的优势。目前我司对真空溅射工艺已趋于成熟，有大规模推行真空溅射工艺的技术积累，可以迅速形成大规模的生产能力，彻底替代落后的浸封工艺。